2018年9月30日 星期五
当前位置:首页 > 新闻中心 > 详细信息
中国一冶中标国家存储器基地项目长江未来馆工程
来源:钢构公司 作者:常岑 发布时间:2019年10月13日
+ . -

  10月12日,中国一冶中标--国家存储器基地项目(一期)长江未来馆工程。

  国家存储器基地项目(一期)长江未来馆工程位于武汉光谷未来科技城内,场地北侧为三湖街路,东侧为未来三路,西侧为未来二路,南侧为科技五路。中国一冶施工内容主要为有长江未来馆施工图所示的土建工程、室外工程、大临设施、机电工程、消防工程、精装修等所有项目及外部连廊。工程主体为五层钢筋混凝土框架结构,屋面为钢架屋面,建筑占地面积18868平方米,建筑面积66898平方米。使用功能包括停车、运动健身及生活娱乐。

  国家存储器基地项目以芯片制造环节为突破口,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体,建成后,将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展,总产能将达到每月30万片,年产值将超过100亿美元,标志着芯片国产化之路将迈出可靠而重要的一步。

地址:湖北省武汉市青山区工业路3号 邮编:430081 总机电话:027-68868899
中国一冶集团有限公司 @版权所有 2018 鄂ICP备05008421-1 鄂公网安备42010702000172号

中国一冶集团